2007，英特尔正式发布了四核心的Core 2 Extreme qx9650处理器，这导致行业进入45nm的新世界。对于用户来说，在这个时候45nm是一个陌生的词。但随着时间的推移，45nm工艺的概念逐渐流行。越来越多的用户会问，当他们选择处理器产品：是产品45nm这显示了用户注意力的程度。

然而，它的专业词汇，并不是每个人都能做的很好，特别是在这种技术的过程中到底有什么过人之处是不清楚的。所以很多球员消费者宁愿选择45nm工艺的确值得选择或保持在风中当他们选择。然后让我们下车。


选择45nm是遵循或是真的那么好吗

为什么这个过程得到了改善

事实上，在加工过程中，英特尔的滴答的策略被提出。所谓滴答战略是英特尔系统的转换过程和核心架构，并每隔一年英特尔将在这一过程中完成转型。这是英特尔多年来确保它一直处于行业领先地位的持续的战略支持。

那么为什么IT行业继续更新这个过程呢事实上，这不得不提到晶圆的切割。众所周知，几乎所有高端电子产品都是由晶体管组成的，所以更先进的工艺可以在更小的区域为CPU带来更多的晶体管。


各种尺寸的晶片

但是，无论是CPU、GPU和内存，它们实际上是用硅片切割芯片，在CPU市场，英特尔一直领先的AMD是由于先进的技术工艺，先进的工艺技术已经为英特尔处理器更小的功耗和发热量，使产品有更多的空间来提高性能是大的。值得一提的是，工艺技术在硅片切割工艺更先进，切割出更多的核心在同一晶圆的尺寸，从而提高产量和降低生产成本。可以看出，工艺升级到制造商本身带来了巨大的利益。所以，对于消费者来说，进一步升级流程的好处是什么






先进过程的好处是什么

事实上，回首过去，无论是从90nm到65nm，或从65nm到45nm，每个变化过程为谁带来了更多的体验游戏的玩家，以进一步降低功耗，进一步提升频率的性能，进一步提高讲科学技术的时代的不变的定理快速发展的超频性能，但是为什么英特尔的45nm工艺并得到如此多的关注它的具体好处和先进性在哪里

1。英特尔mdash；mdash；突破45nm（关键词：高K +金属栅极介质的介绍）

在过去的四十年中，二氧化硅作为一种广泛使用的晶体管栅介质的制作材料。在65纳米工艺，英特尔已压缩的二氧化硅栅介质的厚度为1.2 nm，基本达到了这种传统材料的限制。同时，晶体管具有瓶颈的效率增益和工艺改进。太薄的晶体管二氧化硅栅介质也降低了块上栅漏电流的能力，和泄漏率急剧上升。英特尔的45nm采用突破性的新材料，最大的进步，对晶体管的发展四十年。


45纳米高k金属栅介质与传统材料的比较

针对上述情况，英特尔公司推出的45纳米处理器Penryn家族第一次高技术。基于铪铬新材料不仅绝缘性能好，而且比传统的二氧化硅栅介质，从而可以进一步控制晶体管的漏电率。当然，由于门高晶体管的栅极晶体管不与现有的介质兼容，所以英特尔也拿出新的晶体管栅极材料，目前有超过20%的增长之间的内在的源漏极晶体管驱动，不仅能有效地提高效率，也可以使晶体管晶体管漏源极之间的内泄漏量减少5 TI的速率MES。


英特尔45纳米高k金属栅介质示意图

2。性能提升功耗进一步降低

高介电常数栅介质和金属栅栅的引入，可使晶体管的漏电率降低10倍以上。采用65nm工艺相比，可提高的同时能耗20%的时钟频率或在相同的时钟frequency.45纳米片具有较低的能耗可以执行开关操作每秒约三千亿。在由铜和低k材料组成的内部连接线的作用下，芯片的开关速度可提高20%，功耗降低30%，这对越来越追求功率比的用户无疑具有吸引力。

三.更环保的过程

值得一提的是，用于硅晶片与基板连接点的内部连接的约5%，英特尔，锡的第一层内，银和铜的合金来取代现有的锡和铅基焊料，和45 nm的高K +金属栅极的产品使用100%无铅工艺制造的宣布，它有一个复杂的硅晶片处理器技术的连接结构，更换材料不易连接，英特尔花了很多精力，但它的意义是很深远的。

结尾处写：

可以看出，英特尔的45nm工艺无疑是行业内的具有里程碑意义的突破性技术。它不仅再次证明了英特尔在半导体行业的领先地位，但同时也带来了更为有利的选择给用户。随着45nm技术的进一步普及，它已成为主流选择。它的优点也会更好地体现在球员的使用上。